」
「另外对撞机内部还有两台硅探测器，它们会将数据导入到一台多晶体管显像器上，通过分析很快就可以得出大量的数据了。」
「我们这台加速器对撞发生的时间间隔是25ns，也就是40MHz，不出意外大概可以产出大几千张图纸。」
听闻此言。
一旁的徐云也点了点头。
众所周知。
从步骤上划分，粒子对撞机大概可以分成三个部分：
生产粒子、加速粒子、分析粒子。
其中生产粒子的方法很多，主要分成电子源和离子源。
电子源就是加热、光电效应、场致发射或者次级发射——当初徐云在1850副本中使用的就是场致发射原理。
至于离子源就比较多了，啥负离子源、正电子源、反质子源、中子源等零零散散好多种。
加速粒子则主要靠的是磁场和电磁，难点一是加速长度...也就是管道强度，二是聚焦。
在三个模块中，最具备技术力的其实是第三个，也就是分析粒子。
在徐云穿越来的2
023年，分析粒子的技术已经很成熟了。
比如说CMS有两级降频，快速判断事件的价值，过滤无聊的对撞事件，筛选有价值的对撞事件。
这种降频技术也叫Trigger，两级Trigger分别可以把频率降为100kHz和1kHz。
另外还有多丝正比室、漂移室等等，华夏的燕京正负电子对撞机上的谱仪实验就使用了漂移室。
不过在眼下这个时期，技术就比较原始了。
例如众人面前的这架串列式加速器。
它使用了硅半导体作为探测传感器，因为这种材料能够在粒子对撞中大量的辐射中幸存下来，并且能提供高精度的位置测量。
而这种传感器的基本结构就是半导体器件中常见的p-n结，这个结构被发现于1940年3月6日。
这辈子导过的同学应该都知道。
当对p-n结施加外部电压后，p-n结内部会产生一个耗尽层，耗尽层内有电场。
当一个高能带电粒子穿过耗尽层的时候，会将p-n结的晶格原子电离，产生能自由移动的正负电荷。
这些正负电荷在电场的作用下就移动到了p-n结的边缘，因此可以被收集起来产生信号。
硅探测器通常用来探测粒子走过的「
「另外对撞机内部还有两台硅探测器，它们会将数据导入到一台多晶体管显像器上，通过分析很快就可以得出大量的数据了。」
「我们这台加速器对撞发生的时间间隔是25ns，也就是40MHz，不出意外大概可以产出大几千张图纸。」
听闻此言。
一旁的徐云也点了点头。
众所周知。
从步骤上划分，粒子对撞机大概可以分成三个部分：
生产粒子、加速粒子、分析粒子。
其中生产粒子的方法很多，主要分成电子源和离子源。
电子源就是加热、光电效应、场致发射或者次级发射——当初徐云在1850副本中使用的就是场致发射原理。
至于离子源就比较多了，啥负离子源、正电子源、反质子源、中子源等零零散散好多种。
加速粒子则主要靠的是磁场和电磁，难点一是加速长度...也就是管道强度，二是聚焦。
在三个模块中，最具备技术力的其实是第三个，也就是分析粒子。
在徐云穿越来的2
023年，分析粒子的技术已经很成熟了。
比如说CMS有两级降频，快速判断事件的价值，过滤无聊的对撞事件，筛选有价值的对撞事件。
这种降频技术也叫Trigger，两级Trigger分别可以把频率降为100kHz和1kHz。
另外还有多丝正比室、漂移室等等，华夏的燕京正负电子对撞机上的谱仪实验就使用了漂移室。
不过在眼下这个时期，技术就比较原始了。
例如众人面前的这架串列式加速器。
它使用了硅半导体作为探测传感器，因为这种材料能够在粒子对撞中大量的辐射中幸存下来，并且能提供高精度的位置测量。
而这种传感器的基本结构就是半导体器件中常见的p-n结，这个结构被发现于1940年3月6日。
这辈子导过的同学应该都知道。
当对p-n结施加外部电压后，p-n结内部会产生一个耗尽层，耗尽层内有电场。
当一个高能带电粒子穿过耗尽层的时候，会将p-n结的晶格原子电离，产生能自由移动的正负电荷。
这些正负电荷在电场的作用下就移动到了p-n结的边缘，因此可以被收集起来产生信号。
硅探测器通常用来探测粒子走过的「